焼結ステンレス鋼

さらに、腐食性の特殊ガスを使用する半導体アプリケーションの場合、この製品は{0}}ハロゲン、酸、アルカリに対する優れた耐性により、-フッ素-および塩素-ベースのガス環境において媒体による腐食や二次不純物の生成を引き起こすことなく、長期にわたって安定して動作します。 PTFE やガラス繊維などの有機フィルター媒体と比較して、その高温耐性、耐老化性、および不揮発性の特性により、高温ガスプロセスに最適であり、有機材料の高温分解によって引き起こされるガス汚染という業界全体の課題を完全に解決します。{{8}{8}}

工場での連続運転中、CMP スラリーは静的なシステムではなく、循環、せん断、圧力変化、化学反応を常に受け​​ています。このプロセス中に、ファンデルワールス力、静電シールド効果、または化学環境の変化によりナノ粒子が徐々に凝集し、元の粒子よりもはるかに大きな大きな凝集体を形成することがあります。凝集形成に影響を与える要因には、局所的な分散剤の破損につながる循環ポンプによる高速せん断が含まれます。-スラリーの保管時間が長くなると、コロイドの安定性が低下します。温度変化により粒子の表面電荷が変化します。スラリー中の金属イオン濃度が増加し、電気二重層が圧縮され、粒子の凝集が誘発されます。循環システムに入る空気はマイクロバブルを形成し、粒子の架橋を促進します。

従来のポリマー膜は主に、表面保持のために二次元膜構造に依存しています。{0}}濾過中、粒子は膜表面に蓄積する傾向があり、ケーキ層を形成し、圧力差が急激に増加します。それに対して、ナビチタンは焼結ステンレス鋼三次元相互接続された微多孔質構造を採用しています。-その内部チャネルは相互接続されているため、粒子は表面に保持されるだけでなく、チャネルの深さに沿って徐々に分布し、典型的な深層濾過が実現されます。この濾過方法にはいくつかの重要な利点があります。まず、ナノ-スラリーが細孔ネットワーク全体に均一に流れ、局所的な高速洗浄ゾーンの形成を防ぎ、フィルター媒体の摩耗を軽減します。-第二に、より大きな凝集粒子がチャネル入口に優先的に保持される一方、通常のナノ粒子はスムーズに通過できるため、スラリーの粒径分布は大きく変わりません。

銅 CMP は、ダマシン (ダマシン相互接続) プロセスの重要なステップです。その目標は、トレンチとビア内の銅の充填を維持しながら、銅のオーバーメッキを除去することです。銅は延性が高く硬度が低いため、CMP 中に局所的な機械的応力の影響を受けやすく、プロセスの安定性にとってスラリーの粒子状態が特に重要になります。銅CMPスラリーは通常、一次研磨剤としてコロイダルシリカを使用し、粒子サイズは通常30～80nmの間に制御され、銅表面の酸化と腐食抑制を制御するために過酸化水素やベンゾトリアゾール（BTA）などの化学添加剤が添加されます。銅CMPにおける焼結ステンレスフィルターの主な役割は、すべての粒子を遮断するのではなく、通常の研磨粒子サイズより数倍大きい異常粒子を除去することです。

タングステン CMP は、主にコンタクト プラグおよび平面相互接続内のタングステン プラグを加工するために使用されます。銅に比べてタングステンは硬く、除去プロセスは主に化学酸化と機械的研磨の組み合わせに依存します。したがって、通常、酸化剤と高硬度の研磨材がスラリーに追加されます。-タングステン CMP フィルターは、非常に高いレベルの摩耗に耐える必要があります。スラリー中の研磨剤の切断力が強いため、通常のポリマーフィルター媒体は長期間の使用後に細孔の拡大や膜の摩耗を起こしやすくなります。-しかし、本製品は焼結金属骨格を一体化しているため、連続的な高速精練に耐え、長期間にわたってろ過精度を維持することができます。-タングステン CMP は金​​属不純物に非常に敏感です。

STI (Shallow Trench Isolation) CMP は、主にトレンチ充填後に酸化シリコン材料を除去し、トランジスタ間の電気的分離を実現するために使用されます。 STI は後続のゲート形成に直接影響を与えるため、その平坦化品質の要件は非常に高くなります。 STI スラリーは通常、ナノ-酸化セリウム (CeO₂) を主な研磨剤として使用します。その粒子は高い化学活性を持ち、シリカ表面と相乗的に反応して研磨効率を向上させます。酸化セリウムスラリーの特徴は、粒子の表面電荷が強いため、pH やイオン濃度の変化により凝集しやすいことです。